肖特基二极管是肖特基博士发明并命名的，又称肖特基势垒二极管缩写是SBD。与普通二极管不同，SBD是采用金属与半导体接触形成的金属-半导体结构成，因此也叫金属-半导体二极管。

      肖特基二极管是由铂、金、银、铝等金属为正极，而N型半导体为负极，利用正负极接触面周围电子形成的势垒拥有整流特性而制成的金属-半导体二极管。肖特基二极管在通电后N型半导体内部会形成大量电子而正极金属内却只有少量自由电子，所以半导体内的自由电子会向着金属端扩散。伴随这种扩散半导体端电子浓度不断降低，表面的电中性被破坏形成势垒，电场方向由半导体端向金属端。在势垒的作用下，金属端电子也会向半导体端进行漂移运动，而削弱之前电子扩散运动形成的电场，当两边相对电子的扩散和漂移运动达到平衡后就形成了肖特基势垒。当肖特基二极管受正向电压时（即金属端接电源正极，半导体端接负极），内阻变小，反之内阻变大。

      肖特基二极管的优点是开关频率高、降低正向电压，SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒的充、放电时间，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题所以开关速度很快可以小到几纳秒，开关损耗也很小更适用于高频电路。但缺点也很明显，反向击穿电压低、反向漏电流大导致导通损耗和开关损耗较大引起温度很高，需要配备较大的散热器使电路的体积和重量增加。不过最近几年SBD技术已经有了突破性的进展，最高反向击穿电压已经达到了200V。

      肖特基二极管的特点和结构使其非常适合低压、大电流输出场合用的高频整流，在高频率下的检波和混频，在高速逻辑电路中的箝位，高速计算机中的IC也使用了大量有SBD的集成电路。

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